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薄膜电路

陶瓷集成电路在指定陶瓷介质基片上通过溅射、电镀、蚀刻等工艺将电阻、电容、电感、微带等集成在基板上,形成特殊功能的电路。

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薄膜电路

薄膜电路-尺寸图.jpg

項 目

典型参数

导带离金属边缘的距离 

0.025~0.050mm

 最小电阻宽度

0.05 mm

孔边缘到图形边缘的最小距离  

1 mm

最小电阻长度

0.05 mm

电阻边缘与导带最小空白距离

0.025 mm

最小通孔直径

0.8倍基片厚度

最小孔间距  

1.6倍基片厚度

       

最小线宽或线距(um)

精度(um)

15-30

±2

30-50

±5

50-100

±7

100

±10

备注:


1基片种类及性能 

性质

单位

氧化铝

Al2O3

氧化铝

Al2O3

氮化铝

ALN

氧化铍

BEO

纯度

%

96

99.6

99

99.5

介电常数

@1MHZ

9.5

9.9

9

6.5

导热率

TC

W/m.K

24.7

29.3

170~230

270

表面粗糙度

Raum

0.64(25.0)

0.083.0

0.05(2.0)

0.5(20.0)

耗损因数

D.F

@1MHZ

0.0003

0.0001

0.0004

0.0004

基片常规厚度

Substrates Normal Thickness

 

mm

0.127±0.025    0.254±0.025    0.381±0.050    0.508±0.050

0.635±0.050     0.762±0.050      1.000±0.050     


2. 金属层功能表

功能

金属

备注

 粘附层


Tiw: 8001200Å

常用粘附层

Ti: 8001200Å

基片Ra=10nm使用Ti粘附层

Ni Cr: 300800Å

Nicr 作为粘附层


TaN: 200-600

--

阻挡层

Ni: 0.1~0.2um,2.0(Max)

改善Sn/Pb、Au/Sn可焊性

导带层

Au: 0.5~8.0um

--


3.电阻器设计公式

R=Rs * (L/W), Rs为电阻薄膜的方块电阻值,L为电阻体的长度,W为电阻体的宽度;

N=L/W,N为方块电阻的方数

薄膜电路-电阻计算.jpg